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Technische Details FQP8N80C onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 178W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FQP8N80C nach Preis ab 3.28 EUR bis 5.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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FQP8N80C | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V |
auf Bestellung 385 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQP8N80C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP8N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 1.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.29ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2385 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP8N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQP8N80C | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQP8N80C | Hersteller : FSC |
09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQP8N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQP8N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQP8N80C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 178W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQP8N80C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 178W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 178W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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