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FQP8P10.

FQP8P10. ONSEMI

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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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Technische Details FQP8P10. ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP8P10. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 8, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 65, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 4, SVHC: Lead (08-Jul-2021).