FQPF13N06L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 10, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 24, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 24, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088, SVHC: Lead (17-Jan-2022).