FQPF19N10 ON Semiconductor
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 565+ | 0.97 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FQPF19N10 ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF19N10 nach Preis ab 0.88 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FQPF19N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FQPF19N10 | Hersteller : onsemi |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
FQPF19N10 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel QFET |
auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQPF19N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| FQPF19N10 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail |
auf Bestellung 582 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
| FQPF19N10 | Hersteller : Fairchild |
|
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| FQPF19N10 | Hersteller : FAIRCHILD |
06+ |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||||||||
 |
FQPF19N10 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
FQPF19N10 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 54.4A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
FQPF19N10 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 54.4A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |