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FQPF2N80

FQPF2N80 onsemi

fqpf2n80-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
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Technische Details FQPF2N80 onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V.

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FQPF2N80 FQPF2N80 Hersteller : onsemi fqpf2n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
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FQPF2N80 FQPF2N80 Hersteller : onsemi / Fairchild FQPF2N80_D-2313682.pdf MOSFET 800V N-Channel QFET
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FQPF2N80 Hersteller : FAIRCHILD fqpf2n80-d.pdf 02+
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FQPF2N80 Hersteller : FAIRCHILD fqpf2n80-d.pdf 2002 TO-220F
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FQPF2N80 Hersteller : FSC fqpf2n80-d.pdf 08+ SOP-24
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FQPF2N80 FQPF2N80 Hersteller : ON Semiconductor fqpf2n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF2N80 FQPF2N80 Hersteller : ON Semiconductor fqpf2n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF2N80 FQPF2N80 Hersteller : ONSEMI fqpf2n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.3Ω
Drain current: 0.95A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQPF2N80 FQPF2N80 Hersteller : ONSEMI fqpf2n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 6.3Ω
Drain current: 0.95A
Drain-source voltage: 800V
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 6A
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