Weitere Produktangebote FQPF33N10L nach Preis ab 1.74 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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FQPF33N10L | Hersteller : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
auf Bestellung 19653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF33N10L | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQPF33N10L | Hersteller : FAIRCHIL |
09+ SOT263 |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FQPF33N10L | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF33N10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.039 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 41 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 41 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF33N10L | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
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