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Anzahl | Preis |
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1+ | 2.92 EUR |
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100+ | 2.13 EUR |
500+ | 1.74 EUR |
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Technische Details FQPF33N10L onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF33N10L
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FQPF33N10L | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF33N10L | Hersteller : FAIRCHIL |
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auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQPF33N10L | Hersteller : ONSEMI |
![]() Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 41 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 41 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF33N10L Produktcode: 88710
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FQPF33N10L | Hersteller : ON Semiconductor |
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FQPF33N10L | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
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