Weitere Produktangebote FQPF5N60C nach Preis ab 0.84 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF5N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 667 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
FQPF5N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 20650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
FQPF5N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
FQPF5N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
FQPF5N60C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
 |
FQPF5N60C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF5N60C - MOSFET, N, TO-220F tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1669 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| FQPF5N60C | Hersteller : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
 |
FQPF5N60C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
 |
FQPF5N60C | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
Produkt ist nicht verfügbar |