Technische Details FQPF5P20 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF5P20 nach Preis ab 0.71 EUR bis 3.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FQPF5P20 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF5P20 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF5P20 | onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
auf Bestellung 472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQPF5P20 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQPF5P20 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 665+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| FQPF5P20 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
auf Bestellung 3645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 478+ | 1.15 EUR |
| FQPF5P20 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
MOSFETs 200V P-Channel QFET
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 2.37 EUR |
| 100+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 2000+ | 1 EUR |
| 5000+ | 0.98 EUR |
| FQPF5P20 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 348+ | 0.71 EUR |