FQPF5P20 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 639+ | 0.86 EUR |
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Technische Details FQPF5P20 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQPF5P20 nach Preis ab 0.78 EUR bis 2.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FQPF5P20 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF5P20 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF5P20 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQPF5P20 | Hersteller : FAIRCHILD |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQPF5P20 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF5P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.4 A, 1.1 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF5P20 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF5P20 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 200V 3.4A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V |
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