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Technische Details FQPF6N80T onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 3.3, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FQPF6N80T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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FQPF6N80T | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF6N80T | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 3.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 51 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 51 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FQPF6N80T | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.1A; Idm: 13.2A; 51W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 13.2A Power dissipation: 51W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.95Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQPF6N80T | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.65A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
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FQPF6N80T | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.1A; Idm: 13.2A; 51W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 13.2A Power dissipation: 51W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.95Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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