FQPF6N80T onsemi

Description: ONSEMI - FQPF6N80T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 3.3, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51, Bauform - Transistor: TO-220F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.5, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5, SVHC: Lead (17-Jan-2022).