FQPF6N90C ON SEMICONDUCTOR
Produktcode: 167479
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO-220F
Uds,V: 900 V
Idd,A: 6 A
Rds(on), Ohm: 2,3 Ohm
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote FQPF6N90C nach Preis ab 1.64 EUR bis 5.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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FQPF6N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 4095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF6N90C | Hersteller : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FQPF6N90C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQPF6N90C | Hersteller : ONS/FAI |
МОП-транзистор 900V N-Ch Q-FET advance C-Series Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF6N90C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF6N90C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series |
Produkt ist nicht verfügbar |