
FQPF7N65C onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
auf Bestellung 42681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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286+ | 1.62 EUR |
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Technische Details FQPF7N65C onsemi
Description: ONSEMI - FQPF7N65C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 1.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FQPF7N65C nach Preis ab 1.24 EUR bis 2.97 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FQPF7N65C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF7N65C | Hersteller : ON Semiconductor |
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FQPF7N65C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF7N65C | Hersteller : ON Semiconductor |
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FQPF7N65C | Hersteller : ON Semiconductor |
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FQPF7N65C | Hersteller : ON Semiconductor |
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FQPF7N65C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQPF7N65C | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 27030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF7N65C | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQPF7N65C | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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FQPF7N65C | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V |
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