FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R
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Weitere Produktangebote FQPF8N80C (SOT-220F - Fairchild) MOSFET 800V/8A/1.55R
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FQPF8N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF8N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF8N80C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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FQPF8N80C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V |
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FQPF8N80C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
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FQPF8N80C | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; 59W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5.1A Power dissipation: 59W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC |
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