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FQPF9N90CT

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Produktcode: 148086
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQPF9N90CT FQPF9N90CT ON Semiconductor fqpf9n90cd.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF9N90CT FQPF9N90CT ON Semiconductor fqpf9n90cd.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FQPF9N90CT FQPF9N90CT ONSEMI FQPF9N90C-D.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1000 Stücke:
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19+3.8 EUR
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FQPF9N90CT FQPF9N90CT onsemi FQPF9N90C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
auf Bestellung 1170 Stücke:
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3+7.67 EUR
50+4 EUR
100+3.64 EUR
500+3.02 EUR
1000+2.84 EUR
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FQPF9N90CT FQPF9N90CT onsemi FQPF9N90C-D.PDF MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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FQPF9N90CT
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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FQPF9N90CT
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
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FQPF9N90CT
Hersteller: onsemi
MOSFETs 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
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