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FQT1N80TF-WS

FQT1N80TF-WS onsemi

fqt1n80-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 352000 Stücke:
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Technische Details FQT1N80TF-WS onsemi

Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS onsemi / Fairchild FQT1N80-D.PDF MOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
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500+0.92 EUR
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FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS onsemi fqt1n80-d.pdf MOSFETs 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
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FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS ONSEMI ONSM-S-A0013297970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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126+1.86 EUR
178+1.2 EUR
500+1.04 EUR
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.5ohm
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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