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FQT4N20LTF

FQT4N20LTF ON Semiconductor

fqt4n20l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details FQT4N20LTF ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V.

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FQT4N20LTF FQT4N20LTF Hersteller : ON Semiconductor fqt4n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FQT4N20LTF FQT4N20LTF Hersteller : onsemi fqt4n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
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FQT4N20LTF FQT4N20LTF Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E00F0358E259&compId=FQT4N20L.pdf?ci_sign=3efe0ff46f2895ef1adef85b3e5eca76330d85d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
80+0.9 EUR
106+0.68 EUR
147+0.49 EUR
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FQT4N20LTF FQT4N20LTF Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197E00F0358E259&compId=FQT4N20L.pdf?ci_sign=3efe0ff46f2895ef1adef85b3e5eca76330d85d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
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FQT4N20LTF FQT4N20LTF Hersteller : onsemi fqt4n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
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FQT4N20LTF FQT4N20LTF Hersteller : onsemi / Fairchild FQT4N20L-D.pdf MOSFETs 200V Single
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8000+0.61 EUR
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