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FQT5P10TF

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Produktcode: 169563
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQT5P10TF FQT5P10TF ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.44 EUR
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FQT5P10TF FQT5P10TF ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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FQT5P10TF FQT5P10TF ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
8000+0.51 EUR
12000+0.5 EUR
28000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FQT5P10TF FQT5P10TF ON Semiconductor fqt5p10-d.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
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4000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FQT5P10TF FQT5P10TF onsemi / Fairchild FQT5P10-D.pdf MOSFETs -100V Single
auf Bestellung 51772 Stücke:
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2+1.69 EUR
10+1.17 EUR
100+0.81 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.56 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FQT5P10TF FQT5P10TF onsemi fqt5p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FQT5P10TF FQT5P10TF ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
172+1.36 EUR
250+0.9 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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FQT5P10TF FQT5P10TF ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
173+1.34 EUR
250+0.89 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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FQT5P10TF fqt5p10-d.pdf
FQT5P10TF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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FQT5P10TF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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FQT5P10TF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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FQT5P10TF
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -100V Single
auf Bestellung 51772 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.17 EUR
100+0.81 EUR
500+0.67 EUR
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FQT5P10TF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 1501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.87 EUR
15+1.4 EUR
100+0.92 EUR
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FQT5P10TF 2285753.pdf
FQT5P10TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
122+2.06 EUR
172+1.36 EUR
250+0.9 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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FQT5P10TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.21 EUR
173+1.34 EUR
250+0.89 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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