| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
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Technische Details FQU1N80TU onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQU1N80TU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FQU1N80TU | ONS/FAI |
 MOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
FQU1N80TU | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FQU1N80TU | ON Semiconductor |
POWER MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 5040 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FQU1N80TU |
|
Hersteller: ONS/FAI
MOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори
MOSFET IPAK 3/N-CHANNEL 800V 1A 16 Om 45Вт Транзистори
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| FQU1N80TU |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
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| FQU1N80TU |
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Hersteller: ON Semiconductor
POWER MOSFET
POWER MOSFET
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