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FQU2N100TU

FQU2N100TU Fairchild

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Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu
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Technische Details FQU2N100TU Fairchild

Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251, Drain-Source-Spannung Vds: 1, Dauer-Drainstrom Id: 1.6, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 50, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 5, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQU2N100TU FQU2N100TU onsemi fqu2n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
auf Bestellung 1608 Stücke:
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10+2.7 EUR
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FQU2N100TU FQU2N100TU onsemi / Fairchild FQU2N100_D-1809847.pdf MOSFET 1000V/1.6A/N-CH
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FQU2N100TU ONSEMI 2907447.pdf Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 5040 Stücke:
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79+3.2 EUR
87+2.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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FQU2N100TU fqu2n100-d.pdf
FQU2N100TU
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
auf Bestellung 1608 Stücke:
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FQU2N100TU FQU2N100_D-1809847.pdf
FQU2N100TU
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 1000V/1.6A/N-CH
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FQU2N100TU 2907447.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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