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FQU2N100TU

FQU2N100TU onsemi


fqu2n100-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
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Technische Details FQU2N100TU onsemi

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1A, Power dissipation: 50W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 9Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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FQU2N100TU FQU2N100TU Hersteller : onsemi / Fairchild FQU2N100_D-1809847.pdf MOSFET 1000V/1.6A/N-CH
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FQU2N100TU Hersteller : Fairchild fqu2n100-d.pdf N-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQU2N100TU TFQU2n100tu
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FQU2N100TU Hersteller : ONSEMI fqu2n100-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FQU2N100TU Hersteller : ONSEMI fqu2n100-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
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On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
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