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FQU8P10TU

FQU8P10TU onsemi

fqu8p10-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
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Technische Details FQU8P10TU onsemi

Description: ONSEMI - FQU8P10TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.41 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 6.6, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 44, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

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FQU8P10TU FQU8P10TU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003587793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQU8P10TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.41 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 44
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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FQU8P10TU FQU8P10TU Hersteller : onsemi / Fairchild FQU8P10_D-2314064.pdf MOSFET -100V Single
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