FS01MR08A8MA2CHPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: FS01MR08A8MA2CHPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43000pF @ 470V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.69mOhm @ 620A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1500nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 200mA
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Technische Details FS01MR08A8MA2CHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 620A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: HybridPACK G2 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm.
Weitere Produktangebote FS01MR08A8MA2CHPSA1 nach Preis ab 2184.41 EUR bis 2405.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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FS01MR08A8MA2CHPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS01MR08A8MA2CHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: HybridPACK G2 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FS01MR08A8MA2CHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
Discrete Semiconductor Modules HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2184.41 EUR |
| FS01MR08A8MA2CHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 2405.13 EUR |