FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 6N-CH 750V 620A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43000pF @ 470V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.69mOhm @ 620A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1480nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 200mA
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Technische Details FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 1690 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 620A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: HybridPACK G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1690µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 nach Preis ab 1358.51 EUR bis 1358.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SIC |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 1690 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: HybridPACK G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1690µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 1358.51 EUR |
| FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 1690 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1690µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 1690 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1690µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)