FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 Infineon Technologies
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| 12+ | 3251.04 EUR |
| 30+ | 3241.02 EUR |
| 54+ | 3072.85 EUR |
| 102+ | 3064.55 EUR |
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Technische Details FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 620A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: HybridPACK G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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Verfügbarkeit |
Preis |
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FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: HybridPACK G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Drive G2 module with SiC MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Drive G2 module with SiC MOSFET |
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FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 6N-CH 750V 620A Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 750V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43000pF @ 470V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.69mOhm @ 620A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1480nC @ 18V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 200mA |
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