FS05MR12A6MA1BBPSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS05MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: HybridPACK CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details FS05MR12A6MA1BBPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FS05MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: HybridPACK CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FS05MR12A6MA1BBPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| FS05MR12A6MA1BBPSA1 | Infineon Technologies |
Description: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-2 Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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FS05MR12A6MA1BBPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FS05MR12A6MA1BBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 39-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FS05MR12A6MA1BBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-2
Part Status: Active
Description: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-2
Part Status: Active
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| FS05MR12A6MA1BBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
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| FS05MR12A6MA1BBPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 39-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 39-Pin Tray
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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