FS150R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 161 EUR |
| 2+ | 76.08 EUR |
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Technische Details FS150R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 700W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 200A, Produktpalette: Econo 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FS150R12KE3BOSA1 nach Preis ab 159.18 EUR bis 326.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 200A 700W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 700 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 700W euEccn: NLR Verlustleistung: 700W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 200A Produktpalette: Econo 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS150R12KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
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