FS200R07PE4BOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FS200R07PE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS200R07PE4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: EconoPACK 4, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote FS200R07PE4BOSA1 nach Preis ab 301.89 EUR bis 322.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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FS200R07PE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 650V 200A 600WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 600 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12 nF @ 25 V |
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FS200R07PE4BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS200R07PE4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.55 V, 600 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: EconoPACK 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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FS200R07PE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray |
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FS200R07PE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
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FS200R07PE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 600W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |