FS25R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FS25R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 45A 205W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 45 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 205 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FS25R12W1T4B11BOMA1 nach Preis ab 60.37 EUR bis 60.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FS25R12W1T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 45A 205WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 205 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V |
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FS25R12W1T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 205W 18-Pin EASY1B-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS25R12W1T4B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 205W 18-Pin EASY1B-2 Tray |
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