Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > FS450R12OE4PBOSA1
FS450R12OE4PBOSA1

FS450R12OE4PBOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FS450R12OE4P-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a01584efa37760727 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.55 nF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1054.47 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FS450R12OE4PBOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS450R12OE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 450A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK+, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote FS450R12OE4PBOSA1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FS450R12OE4PBOSA1 FS450R12OE4PBOSA1 Hersteller : INFINEON 2354645.pdf Description: INFINEON - FS450R12OE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK+
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FS450R12OE4PBOSA1 FS450R12OE4PBOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 2009infineon-fs450r12oe4p-ds-v03_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a01584.pdf Econo PACK™ module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT/ pre-applied Thermal Interface Material
Produkt ist nicht verfügbar
FS450R12OE4PBOSA1 FS450R12OE4PBOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 2009infineon-fs450r12oe4p-ds-v03_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a01584.pdf Econo PACK™ module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT/ pre-applied Thermal Interface Material
Produkt ist nicht verfügbar
FS450R12OE4PBOSA1 FS450R12OE4PBOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 2009infineon-fs450r12oe4p-ds-v03_00-en.pdffileid5546d462584d1d4a01584.pdf Econo PACK™ module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT/ pre-applied Thermal Interface Material
Produkt ist nicht verfügbar
FS450R12OE4PBOSA1 FS450R12OE4PBOSA1 Hersteller : Infineon / IR Infineon_FS450R12OE4P_DS_v03_00_JA-3163006.pdf IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
Produkt ist nicht verfügbar