FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 280 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FS50R12KT4B11BOSA1 nach Preis ab 122.83 EUR bis 122.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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FS50R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MODPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
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FS50R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 25-Pin ECONO2-6 Tray |
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FS50R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 25-Pin ECONO2-6 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS50R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
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