
FS50R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FS50R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 83A 335W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 83 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FS50R12W2T4BOMA1 nach Preis ab 68.05 EUR bis 91.84 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FS50R12W2T4BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 83 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 335 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
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FS50R12W2T4BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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