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FS50R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 83A 335W 18-Pin EASY2B-1 Tray
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Technische Details FS50R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 83A 335W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 335 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 83 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Configuration: Full Bridge Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FS50R12W2T4BOMA1 FS50R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies infineonfs50r12w2t4dsenjp.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 83A 335W 18-Pin EASY2B-1 Tray
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FS50R12W2T4BOMA1 FS50R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12W2T4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed46a07a028e Description: IGBT MOD 1200V 83A 335W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 335 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 335 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Full Bridge Inverter
Input: Standard
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