FS75R17KE3BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 465W, Verlustleistung: 465W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 130A, Anzahl der Pins: 35Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 130A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.