FS75R17KE3BOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 151.25 EUR |
| 5+ | 138.91 EUR |
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Technische Details FS75R17KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Dauer-Kollektorstrom: 130A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 465W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 465W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Anzahl der Pins: 35Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 130A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FS75R17KE3BOSA1 nach Preis ab 116.76 EUR bis 240.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 130A 465W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 465 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V |
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FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 130A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 465W euEccn: NLR Verlustleistung: 465W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Anzahl der Pins: 35Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 130A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
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FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-4 Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 465W Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
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| FS75R17KE3BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-4 Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 465W Mechanical mounting: screw |
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