FSB660A onsemi / Fairchild
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 0.70 EUR |
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Technische Details FSB660A onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FSB660A nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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FSB660A | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS PNP 60V 2A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
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FSB660A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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FSB660A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FSB660A | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FSB660A | Hersteller : FAIRCHILD |
09+ |
auf Bestellung 13617 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FSB660A | Hersteller : FAIRCHILD |
SOT23 |
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| FSB660A | Hersteller : FAIRCHILD |
SOT23-G60A |
auf Bestellung 1317 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FSB660A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSB660A - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSB660A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSB660A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSB660A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSB660A | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
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