FZ2000R33HE4BOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 2000A AGIHVB190-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 2kA (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHVB190-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 4200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 280 nF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3537.86 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FZ2000R33HE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ2000R33HE4BOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.2 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 2, usEccn: 3A228.c, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2, Verlustleistung Pd: -, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3, Produktpalette: IHM-B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FZ2000R33HE4BOSA1 nach Preis ab 3695.28 EUR bis 3695.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ2000R33HE4BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ2000R33HE4BOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.2 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 Dauer-Kollektorstrom: 2 usEccn: 3A228.c IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2 Verlustleistung Pd: - euEccn: 3A228.c Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3 Produktpalette: IHM-B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3 IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
| FZ2000R33HE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules IHV IHM T |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||
| FZ2000R33HE4BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3 Topology: IGBT x3 Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2kA Pulsed collector current: 4kA Max. off-state voltage: 3.3kV Case: AG-IHVB190-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |