FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - FZ2000R33HE4BOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.2 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: -
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Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3
Produktpalette: IHM-B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FZ2000R33HE4BOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.2 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 2, usEccn: 3A228.c, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2, Verlustleistung Pd: -, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3, Produktpalette: IHM-B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FZ2000R33HE4BOSA1 nach Preis ab 3695.28 EUR bis 3695.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| FZ2000R33HE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules IHV IHM T |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FZ2000R33HE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP003062218 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FZ2000R33HE4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 3300V 2000A AGIHVB190-3 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 2kA (Typ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-IHVB190-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 4200 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 280 nF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |