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FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON


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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FZ2000R33HE4BOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.2 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3
Produktpalette: IHM-B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FZ2000R33HE4BOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.2 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 2, usEccn: 3A228.c, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2, Verlustleistung Pd: -, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3, Produktpalette: IHM-B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FZ2000R33HE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon_FZ2000R33HE4_DataSheet_v01_10_EN-1840192.pdf IGBT Modules IHV IHM T
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