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FZ600R12KE3HOSA1

FZ600R12KE3HOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FZ600R12KE3-DS-v03_04-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433c3b25d79 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 2800W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 42 nF @ 25 V
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Technische Details FZ600R12KE3HOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 900A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2.8kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FZ600R12KE3HOSA1 FZ600R12KE3HOSA1 Hersteller : INFINEON INFNS28669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 900A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2.8kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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FZ600R12KE3HOSA1 FZ600R12KE3HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8980ds_fz600r12ke3_3_4_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800W 4-Pin 62MM-2 Tray
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FZ600R12KE3HOSA1 FZ600R12KE3HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies 8980ds_fz600r12ke3_3_4_zh-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0f31105.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800W 4-Pin 62MM-2 Tray
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FZ600R12KE3HOSA1 FZ600R12KE3HOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B429DD0D2FC469&compId=FZ600R12KE3.pdf?ci_sign=868834a23490657b7f01821c752b76da3c7c6933 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.8kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FZ600R12KE3HOSA1 FZ600R12KE3HOSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_FZ600R12KE3_DS_v03_04_EN-3361549.pdf IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
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FZ600R12KE3HOSA1 FZ600R12KE3HOSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B429DD0D2FC469&compId=FZ600R12KE3.pdf?ci_sign=868834a23490657b7f01821c752b76da3c7c6933 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.8kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
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