FZ600R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 900A 2800W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 42 nF @ 25 V
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 242.79 EUR |
| 10+ | 215.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FZ600R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 900A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2.8kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FZ600R12KE3HOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2.8kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800W 4-Pin 62MM-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
FZ600R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800W 4-Pin 62MM-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Power dissipation: 2.8kW Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
FZ600R12KE3HOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Power dissipation: 2.8kW Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA |
Produkt ist nicht verfügbar |