FZ600R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 600A 3000W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.7 nF @ 25 V
auf Bestellung 39 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 151.91 EUR |
| 10+ | 125.89 EUR |
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Technische Details FZ600R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ600R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 3kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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Verfügbarkeit |
Preis |
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FZ600R12KE4HOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ600R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 3kW euEccn: NLR Verlustleistung: 3kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FZ600R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3000000mW 4-Pin AG-62MM-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FZ600R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3000mW 4-Pin AG-62MM-2 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FZ600R12KE4HOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3000mW 4-Pin AG-62MM-2 Tray |
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