G1003B Goford Semiconductor

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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

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Technische Details G1003B Goford Semiconductor

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	G1003B	GOFORD Semiconductor	N-CH 100V 5A 170mOhm/MAX at 10V, 180mOhm/MAX at 4.5V SOT-23	auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	3000+ 0.12 EUR Mindestbestellmenge: 3000 Stücke kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

G1003B

Hersteller: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 5A 170mOhm/MAX at 10V, 180mOhm/MAX at 4.5V SOT-23

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