G10P03 Goford Semiconductor

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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V

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Technische Details G10P03 Goford Semiconductor

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	G10P03	GOFORD Semiconductor	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	5000+ 0.19 EUR Mindestbestellmenge: 5000 Stücke kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

G10P03

Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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