G1K1P06HH Goford Semiconductor

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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)

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Technische Details G1K1P06HH Goford Semiconductor

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	G1K1P06HH	GOFORD Semiconductor	P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223	auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	4000+ 0.14 EUR Mindestbestellmenge: 4000 Stücke kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

G1K1P06HH

Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223

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