G2009G GOFORD Semiconductor
Hersteller: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,9A,RD(max) Less Than 300mOhm at 10V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
N-CH,200V,9A,RD(max) Less Than 300mOhm at 10V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
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Technische Details G2009G GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,9A,RD(max) Less Than 300mOhm at 10V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252.