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G2014

G2014 Heyco

GOFORD-G2014.pdf Hersteller: Heyco
Bumpers / Feet RGB 188-338-6 BLK .338X.17
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Technische Details G2014 Heyco

Bumpers / Feet RGB 188-338-6 BLK .338X.17.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
G2014 G2014 Hersteller : Goford Semiconductor GOFORD-G2014.pdf Description: N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
auf Bestellung 2940 Stücke:
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G2014 Hersteller : GOFORD Semiconductor GOFORD-G2014.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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Mindestbestellmenge: 3000
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G2014 G2014 Hersteller : Goford Semiconductor GOFORD-G2014.pdf Description: N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
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