G20N06D52 Goford Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 2.14 EUR |
| 16+ | 1.34 EUR |
| 50+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
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Technische Details G20N06D52 Goford Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 20A; 48W; DFN5x6-8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 20A, Power dissipation: 48W, Case: DFN5x6-8, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 25nC.
Weitere Produktangebote G20N06D52 nach Preis ab 0.36 EUR bis 0.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| G20N06D52 | GOFORD Semiconductor |
 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G20N06D52 |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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