G25N06K Goford Semiconductor

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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V

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Technische Details G25N06K Goford Semiconductor

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	G25N06K	Hersteller : Goford Semiconductor	Description: N60V, 25A,RD<27M@10V,VTH1.0V~2.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 30 V	auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 12+ 1.53 EUR 19+ 0.95 EUR 100+ 0.62 EUR 500+ 0.48 EUR 1000+ 0.43 EUR Mindestbestellmenge: 12 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	G25N06K	Hersteller : GOFORD Semiconductor	NChannel Enhancement Mode Power MOSFET	auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis 2500+ 0.23 EUR 15000+ 0.2 EUR 30000+ 0.18 EUR Mindestbestellmenge: 2500 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH