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G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor

Hersteller: Vishay General Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 Volt 1.5 Amp Glass Passivated

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Technische Details G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor

Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 1.5 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	G2SB60-E3/51	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 1.5 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

G2SB60-E3/51

Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V

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