G65P06D5 Goford Semiconductor
Hersteller: Goford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.61 EUR |
| 15000+ | 0.56 EUR |
| 30000+ | 0.51 EUR |
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Technische Details G65P06D5 Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V.
Weitere Produktangebote G65P06D5 nach Preis ab 0.55 EUR bis 0.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| G65P06D5 | Hersteller : GOFORD Semiconductor |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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