G65P06T Goford Semiconductor
Hersteller: Goford SemiconductorDescription: P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6390 pF @ 30 V
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.22 EUR |
| 50+ | 1.55 EUR |
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Technische Details G65P06T Goford Semiconductor
P-CH,-60V,-65A,RD(max) Less Than 18mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.5V, TO-220.
Weitere Produktangebote G65P06T nach Preis ab 0.63 EUR bis 0.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G65P06T | Hersteller : GOFORD Semiconductor |
P-CH,-60V,-65A,RD(max) Less Than 18mOhm at -10V,VTH -2.0V to -3.5V, TO-220 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G65P06T | Hersteller : GOFORD SEMICONDUCTOR |
P-Channel 60 V 65A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220 |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |