G7P03L Goford Semiconductor
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.05 EUR |
| 33+ | 0.64 EUR |
| 50+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.4 EUR |
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Technische Details G7P03L Goford Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -7A, Power dissipation: 1.9W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote G7P03L nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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G7P03L | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| G7P03L | GOFORD Semiconductor |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| G7P03L |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 29, Rds = 23 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 5800 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| G7P03L |
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Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -7A; 1.9W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| G7P03L |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| G7P03L |
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P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 29, Rds = 23 мОм, Ugs(th) = 2,5 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 5800 Stücke: