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GAN041-650WSBQ

Produktcode: 207569
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA 3211968.pdf Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 279 Stücke:
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50+21.16 EUR
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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1000+24.6 EUR
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA GAN041-650WSB.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Technology: GaN
Case: SOT429; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 33.4A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode; HEMT
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 4 Stücke:
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GAN041-650WSBQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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GaN FETs GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
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Hersteller: NEXPERIA
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
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GAN041-650WSBQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13686 Stücke:
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GAN041-650WSBQ
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GAN041-650WSBQ
Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Technology: GaN
Case: SOT429; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 35mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 33.4A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode; HEMT
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
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