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GAN041-650WSBQ

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Produktcode: 207569
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.91 EUR
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia GAN041-650WSB.pdf GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+18.93 EUR
100+13.51 EUR
500+13.45 EUR
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia USA Inc. GAN041-650WSB.pdf Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.51 EUR
10+18.58 EUR
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
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25+30.34 EUR
100+28.42 EUR
500+26.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13686 Stücke:
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25+30.34 EUR
100+28.42 EUR
500+26.33 EUR
1000+24.32 EUR
10000+22.54 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ Nexperia gan041-650wsb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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25+30.34 EUR
100+28.42 EUR
500+26.33 EUR
1000+24.32 EUR
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA 3211968.pdf Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.33 EUR
9+27.63 EUR
10+22.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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GAN041-650WSBQ GAN041-650WSBQ NEXPERIA GAN041-650WSB.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 22nC
Technology: GaN
Drain current: 33.4A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode; HEMT
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: SOT429; TO247
On-state resistance: 35mΩ
auf Bestellung 5 Stücke:
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3+35.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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GAN041-650WSBQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Nexperia
GaN FETs SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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GAN041-650WSBQ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
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GAN041-650WSBQ gan041-650wsb.pdf
GAN041-650WSBQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+30.34 EUR
100+28.42 EUR
500+26.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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GAN041-650WSBQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 13686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+30.34 EUR
100+28.42 EUR
500+26.33 EUR
1000+24.32 EUR
10000+22.54 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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GAN041-650WSBQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 47.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+30.34 EUR
100+28.42 EUR
500+26.33 EUR
1000+24.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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GAN041-650WSBQ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN041-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 22nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 29 Stücke:
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Hersteller: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 22nC
Technology: GaN
Drain current: 33.4A
Drain-source voltage: 650V
Kind of transistor: cascode; HEMT
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: SOT429; TO247
On-state resistance: 35mΩ
auf Bestellung 5 Stücke:
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