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GAN080-650EBEZ

GAN080-650EBEZ Nexperia USA Inc.

GAN080-650EBE.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA
Supplier Device Package: DFN8080-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V
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Technische Details GAN080-650EBEZ Nexperia USA Inc.

Description: 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 6V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 30.7mA, Supplier Device Package: DFN8080-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ Nexperia GAN080-650EBE.pdf GaN FETs GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
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GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ NEXPERIA 3959349.pdf Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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15+17.77 EUR
19+12.72 EUR
26+8.25 EUR
50+7.58 EUR
100+6.96 EUR
250+6.83 EUR
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GAN080-650EBEZ GAN080-650EBEZ NEXPERIA 3959349.pdf Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
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GAN080-650EBEZ
Hersteller: Nexperia
GaN FETs GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
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GAN080-650EBEZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN080-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 29 A, 0.06 ohm, 6.2 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
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15+17.77 EUR
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Hersteller: NEXPERIA
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