GAN111-650WSBQ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 16.44 EUR |
| 10+ | 14.11 EUR |
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Technische Details GAN111-650WSBQ Nexperia USA Inc.
Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote GAN111-650WSBQ nach Preis ab 11.18 EUR bis 16.93 EUR
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GAN111-650WSBQ | Hersteller : Nexperia |
GaN FETs 650 V, 140 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package |
auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GAN111-650WSBQ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.9nC Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GAN111-650WSBQ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.9nC Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GAN111-650WSBQ | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 21A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GAN111-650WSBQ | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 21A |
Produkt ist nicht verfügbar |