GAN111-650WSBQ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.54 EUR |
| 10+ | 15.6 EUR |
| 50+ | 12.64 EUR |
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Technische Details GAN111-650WSBQ Nexperia USA Inc.
Description: GAN111-650WSB/SOT429/TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-247-3L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote GAN111-650WSBQ nach Preis ab 10.06 EUR bis 32.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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GAN111-650WSBQ | Nexperia |
GaN FETs GAN111-650WSB/SOT429/TO-247 |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GAN111-650WSBQ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Gate-Ladung, typ.: 4.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 650V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id: 21A |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GAN111-650WSBQ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.9nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GAN111-650WSBQ |
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Hersteller: Nexperia
GaN FETs GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
GaN FETs GAN111-650WSB/SOT429/TO-247
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.65 EUR |
| 10+ | 12.7 EUR |
| 120+ | 10.52 EUR |
| 510+ | 10.06 EUR |
| GAN111-650WSBQ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
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usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 21A
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.43 EUR |
| 13+ | 17.11 EUR |
| 50+ | 14.27 EUR |
| 100+ | 13.26 EUR |
| GAN111-650WSBQ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 4.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
Description: NEXPERIA - GAN111-650WSBQ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Durchsteckmontage
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 32.21 EUR |
| 10+ | 25.43 EUR |
| 13+ | 17.11 EUR |
| 50+ | 14.27 EUR |
| 100+ | 13.26 EUR |