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GAN140-650EBEZ

GAN140-650EBEZ Nexperia

gan140-650ebe.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
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Technische Details GAN140-650EBEZ Nexperia

Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Ladung, typ.: 3.5nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN8080, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Nexperia gan140-650ebe.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 17A 8-Pin DFN EP T/R
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GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Nexperia GAN140-650EBE.pdf GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
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GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ NEXPERIA 3959351.pdf Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN8080
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
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GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ NEXPERIA 3959351.pdf Description: NEXPERIA - GAN140-650EBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage
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GAN140-650EBEZ GAN140-650EBEZ Nexperia USA Inc. GAN140-650EBE.pdf Description: 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
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