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GAN7R0-150LBEZ

GAN7R0-150LBEZ Nexperia USA Inc.

GAN7R0-150LBE.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details GAN7R0-150LBEZ Nexperia USA Inc.

Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-VLGA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 28W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA, Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ NEXPERIA 3959355.pdf Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.63 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ Nexperia GAN7R0-150LBE.pdf GaN FETs SOT8073 150V 28A FET
auf Bestellung 4143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+4.69 EUR
100+3.33 EUR
500+2.76 EUR
2500+2.34 EUR
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GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ Nexperia USA Inc. GAN7R0-150LBE.pdf Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
auf Bestellung 3106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
10+4.86 EUR
100+3.39 EUR
500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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GAN7R0-150LBEZ GAN7R0-150LBEZ NEXPERIA 3959355.pdf Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 28A
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.45 EUR
34+6.96 EUR
100+4.63 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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GAN7R0-150LBEZ 3959355.pdf
GAN7R0-150LBEZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1298 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
GaN FETs SOT8073 150V 28A FET
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
auf Bestellung 3106 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+4.86 EUR
100+3.39 EUR
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GAN7R0-150LBEZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 28A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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34+6.96 EUR
100+4.63 EUR
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