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GANB1R2-040QBAZ

GANB1R2-040QBAZ Nexperia

GANB1R2-040QBA.pdf Hersteller: Nexperia
GaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
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Technische Details GANB1R2-040QBAZ Nexperia

Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 27-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 105W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GANB1R2-040QBAZ GANB1R2-040QBAZ Hersteller : NEXPERIA 4588025.pdf Description: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 60nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GANB1R2-040QBAZ GANB1R2-040QBAZ Hersteller : NEXPERIA 4588025.pdf Description: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GANB1R2-040QBAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. GANB1R2-040QBA.pdf Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.32 EUR
10+8.38 EUR
100+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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GANB1R2-040QBAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. GANB1R2-040QBA.pdf Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
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